RIR Power Electronics şirkəti Bhubaneswar , Odisha -dakı yarımkeçirici zavodunda silisium karbid ( SiC ) epitaksial lövhə istehsalı reaktorlarının quraşdırılmasını başa çatdırdığını elan etdikdən sonra səhmləri 10,55% artaraq 199,10 rup iyə yüksəldi. Şirkət SiC epitaksial lövhə istehsalı üçün tələb olunan əsas avadanlıqların quraşdırıldığını bildirdi. Əsas enerji bağlantıları, kommunal xidmətlər və dəstəkləyici infrastruktur da istismara verilib. Kommersiya istehsalı qalan qanuni və tənzimləyici prosedurlar başa çatdıqdan sonra başlayacaq. Zavod daxili və beynəlxalq bazarlar üçün SiC epitaksial lövhələr istehsal etmək üçün nəzərdə tutulub. Bhubaneswar zavodu şaquli inteqrasiya olunmuş SiC yarımkeçirici istehsal müəssisəsi kimi inkişaf etdirilir. RIR Power Electronics layihəyə 618 kror rupi investisiya yatırmağı planlaşdırır. Zavodun yüksək güclü MOSFET -lər, diodlar və modullar daxil olmaqla SiC əsaslı güc yarımkeçirici cihazları istehsal edəcəyi gözlənilir. Bu məhsullar elektrik mobilliyi, bərpa olunan enerji, enerji saxlama, dəmir yolları, aerokosmik sənaye, müdafiə, məlumat mərkəzləri və sənaye güc elektronikası kimi tətbiqlərdə istifadə olunur. SiC texnologiyası ənənəvi silisium əsaslı texnologiyadan daha yüksək enerji səmərəliliyi və güc idarəetmə imkanları təklif edir. O, həmçinin enerji itkilərini azalda, daha yüksək işləmə temperaturlarını və daha sürətli keçidləri dəstəkləyə bilər. Şirkət SiC epitaksial prosesi nin planlaşdırılan "Silisium Karbiddən Sistemə" istehsal yanaşmasının ilk addımı olduğunu bildirdi. Strategiya epitaksial lövhələri, güc yarımkeçirici cihazlarını və nəticədə sistem səviyyəli həlləri əhatə edən inteqrasiya olunmuş dəyər zəncirini nəzərdə tutur. RIR Power Electronics yüksək güclü yarımkeçirici cihazlar, quraşdırmalar və enerji idarəetmə sistemləri istehsal edir. Fərdi əsasda, RIR Power Electronics -in xalis mənfəəti 2025-ci ilin birinci rübü ilə müqayisədə 2026-cı ilin birinci rübündə 80,46% artaraq 3,14 kror rupi yə, xalis satışları isə 29,27% artaraq 27,16 kror rupi yə çatdı.