RIR Power Electronics şirkətinin səhmləri cümə günü ticarət sessiyasında təxminən 8% bahalaşıb, çünki investorlar şirkətin yarımkeçirici istehsal planları ilə bağlı son yeniləməsinə reaksiya veriblər. Şirkət Bhubaneswar, Odisha -dakı müəssisəsində ən müasir Silisium Karbid (SiC) epitaksial wafer istehsal reaktorlarının quraşdırılmasını tamamlayıb. Bu inkişaf RIR Power Electronics -in Hindistanın ilk şaquli inteqrasiya olunmuş SiC yarımkeçirici istehsal müəssisəsi ni qurmaq planında mühüm addımdır. Səhm BSE -də 7,8% artaraq günün ən yüksək səviyyəsi olan 214 ₹ -ə çatıb. Şirkət bildirib ki, SiC epitaksial wafer istehsalı üçün lazım olan əsas avadanlıqlar quraşdırılıb, əsas enerji bağlantıları, kommunal xidmətlər və digər dəstəkləyici infrastruktur isə artıq mövcuddur. Müəssisənin qalan qanuni və tənzimləyici prosedurlar tamamlandıqdan sonra kommersiya istehsalına başlaması gözlənilir. Fəaliyyətə başladıqdan sonra həm daxili, həm də qlobal bazarlar üçün SiC epitaksial waferlər istehsal edəcək. RIR səhmlərinin performansı: Bu artıma baxmayaraq, kiçik kapitallı səhm hələ də 2025-ci ilin sentyabrında qeydə alınan 388,10 ₹ səviyyəsindəki 52 həftəlik maksimumundan 45% aşağıdadır. Bu arada, 2026-cı ilin martında 52 həftəlik minimumu olan 131,90 ₹ -ə çatıb. Son vaxtlar müsbət gəlirlər göstərərək 1 həftədə 15%, 1 ayda 20%, 3 ayda 23% və son 6 ayda 31% artıb. Lakin son 1 ildə 34%-dən çox dəyər itirib. SiC müəssisəsi nin mərhələsi: RIR Power Electronics Bhubaneswar -dakı SiC yarımkeçirici müəssisəsi ndə quraşdırma işlərinin tamamlandığını elan edib. Şirkət bildirib ki, bu mərhələ Hindistanda qabaqcıl yarımkeçirici istehsal imkanları nı inkişaf etdirmək planlarını gücləndirir. Odisha Hökumətinin Əlavə Baş Katibi Shri Vishal Dev deyib: “Bu mərhələ Odisha -nın Hindistanın yarımkeçirici ambisiyaları nda artan rolunu əks etdirir və Hörmətli Baş Nazirin Viksit Bharat vizyonu na tam uyğundur.” Şirkət Odisha yarımkeçirici müəssisəsi nin mərhələli inkişafı çərçivəsində 618 crore ₹ investisiya planlaşdırır. SiC epitaksial istehsal reaktorları və əlaqəli infrastruktur şaquli inteqrasiya olunmuş SiC yarımkeçirici istehsal ekosistemi yaratmağa yönəlmiş bu planlaşdırılan investisiyanın bir hissəsidir. RIR Power Electronics bildirib ki, müəssisə nəticədə yüksək güclü MOSFETlər , diodlar və modullar daxil olmaqla qabaqcıl SiC əsaslı güc yarımkeçirici cihazlar istehsal edəcək. Bu məhsullar şirkət tərəfindən strateji və yüksək böyüməli sektorlar kimi təsvir edilən sahələrə yönəlib. SiC niyə vacibdir: Silisium Karbid yarımkeçirici texnologiyası ənənəvi silisium əsaslı texnologiyalarla müqayisədə bir sıra üstünlüklər təklif edir. Şirkətin məlumatına görə, bunlara daha yüksək enerji səmərəliliyi, təkmilləşdirilmiş güc idarəetməsi, daha az enerji itkiləri, daha yüksək işləmə temperaturları və artırılmış kommutasiya performansı daxildir. Bu xüsusiyyətlər SiC -i elektrik mobilliyi, bərpa olunan enerji, enerji saxlama, dəmir yolları, aerokosmik sənaye, müdafiə, məlumat mərkəzləri, sənaye güc elektronikası və avtomatlaşdırma daxil olmaqla bir sıra tətbiqlərdə getdikcə daha əhəmiyyətli edir. RIR Power Electronics bildirib: “Bu mərhələ şirkətin yarımkeçirici istehsalına “ Silisium Karbiddən Sistemə ” yanaşmasını əks etdirir”, – deyərək epitaksial waferlərdən cihazlara və nəticədə sistem səviyyəli həllərə doğru planlaşdırılan inkişafı vurğulayıb. Şirkət həmçinin bildirib ki, layihə “ Make in India ” və “ Atmanirbhar Bharat ” təşəbbüslərini dəstəkləyir və Hindistanın daxili yarımkeçirici ekosistemi nin inkişafına töhfə verə bilər. Əlavə edib ki, investisiyanın strateji və sənaye sektorlarında qabaqcıl istehsal imkanları və aşağı axın tətbiqlərini təmin etməklə Odisha -nın Hindistanın yarımkeçirici dəyər zənciri ndə mühüm mərkəz kimi ortaya çıxmasına dəstək olacağı gözlənilir. İmtina: Bu hekayə yalnız təhsil məqsədlidir. Hər hansı bir investisiya qərarı vermədən əvvəl investisiya məsləhətçisi ilə məsləhətləşin.