ABŞ hökuməti növbəti nəsil 10 kV silisium karbid (SiC) güc yarımkeçiricilərinin inkişafı üçün Navitas şirkətini seçib. Bu mükafat Navitas-ın ultra-yüksək gərginlikli (UHV) SiC texnologiyası sahəsindəki liderliyinin və ABŞ-da möhkəmlənmiş istehsal təchizat zəncirinin tanınmasıdır. Bu seçim, ölkənin müdafiə və enerji sektorları üçün kritik əhəmiyyət kəsb edən qabaqcıl yarımkeçirici həllərinə olan ehtiyacını əks etdirir. Navitas-ın bu sahədəki təcrübəsi, yüksək performanslı və etibarlı güc elektronikası komponentlərinin hazırlanmasında mühüm rol oynayır. 10 kV SiC güc yarımkeçiriciləri, xüsusilə yüksək gərginlikli tətbiqlərdə, məsələn, elektrik şəbəkələri , yenilənə bilən enerji sistemləri və müdafiə sənayesində enerji səmərəliliyini və sistemin ümumi performansını əhəmiyyətli dərəcədə artıra bilər. Bu cür texnologiyaların inkişafı, ABŞ-ın texnoloji müstəqilliyini və rəqabət qabiliyyətini gücləndirmək üçün strateji əhəmiyyət daşıyır. Bu mükafat, həmçinin Navitas-ın tədqiqat və inkişaf (R&D) sahəsindəki səylərinin və innovativ həllər təqdim etmək qabiliyyətinin təsdiqidir. Şirkətin ABŞ daxilindəki istehsal imkanları, təchizat zəncirinin dayanıqlığını təmin edərək, milli təhlükəsizlik baxımından kritik olan komponentlərin etibarlı şəkildə təmin edilməsinə kömək edir. Bu layihə, gələcəyin enerji idarəetmə sistemləri üçün təməl qoyaraq, daha səmərəli və davamlı texnoloji həllərin inkişafına yol açır.