Bir Samsung Electronics rəsmisi çərşənbə axşamı bildirdi ki, yüksək bant genişliyinə malik yaddaş ( HBM ) gələn il Dinamik Təsadüfi Giriş Yaddaşı ( DRAM ) çip istehsalçılarının ümumi valf tutumunun təxminən 30% -ni təşkil edəcək ki, bu da hazırkı təxminən 20% -dən yuxarıdır. Samsung Electronics -in ( 005930.KS ) İcraçı Vitse-Prezidenti Kim Taewoo qeyd etdi ki, HBM və standart DRAM eyni valf tutumu uğrunda rəqabət aparır, bu da HBM istehsalının genişləndirilməsinin standart DRAM təchizatını məhdudlaşdıra biləcəyi deməkdir. HBM , prosessorlara yüksək sürətlə böyük həcmdə məlumatlara daxil olmağa imkan verən şaquli şəkildə yığılmış yaddaş çiplərindən ibarət olmaqla, süni intellekt hesablamaları üçün mühüm komponentdir. Bazarda Cənubi Koreya -nın SK Hynix ( 000660.KS ) və Samsung Electronics , eləcə də ABŞ -da yerləşən Micron Technology ( MU.O ) şirkətləri dominantlıq edir.