[P1] TORRANCE, Kaliforniya, 12 oktyabr 2026 (GLOBE NEWSWIRE) -- Növbəti nəsil enerji yarımkeçiriciləri və enerji təchizatı həlləri sahəsində lider, GaN, yüksək gərginlikli və ultra-yüksək gərginlikli SiC, həmçinin IVR texnologiyalarının qabaqcılı olan Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS ) bu gün NVIDİA ilə əməkdaşlıq çərçivəsində hazırlanmış və GaNFast™ texnologiyası ilə təchiz edilmiş ən son 24 kVt, 800 V-dən 12 V-ə DC-DC enerji təchizatı lövhəsini (PDB) elan etdi. Bu lövhə NVIDİA MGX ekosistemini dəstəkləmək və süni intellekt məlumat mərkəzləri üçün 800 VDC enerji arxitekturalarını inkişaf etdirmək məqsədi daşıyır. Yeni PDB-nin OCP Qlobal Sammiti 2026 -da NVIDİA -nın Süni İntellekt Fabriki MGX Divarı tərəfdaş ekran sahəsində nümayiş etdirilməsi planlaşdırılır. [P2] Bu ən son 24 kVt, 800 V-dən 12 V-ə PDB, Navitas -ın 800 VDC süni intellekt məlumat mərkəzi platformaları portfelini genişləndirir və əvvəllər NVIDİA ilə əməkdaşlıqda elan edilmiş 20 kVt, 800 V-dən 6 V-ə PDB-yə əsaslanır. Bu həllər, Navitas 2.0 transformasiyasının əsas strateji fokusunu irəli aparır ki, bu da köhnə silikonun növbəti nəsil GaN və SiC yüksək güclü texnologiyaları ilə süni intellekt infrastrukturunda, Şəbəkədən-xPU-ya qədər əvəz edilməsini sürətləndirməkdir. [P3] PDB tam yüklə 97% hədəf səmərəlilik və 2 000 W/in³-dən çox güc sıxlığı ilə 24 kVt güc təmin edə bilir, bu da bütün hesablama tepsisi üçün enerji verir. NVIDİA -nın ən son 400 mm × 60 mm forma faktorunda dizayn edilmiş PDB, enerji təchizatı itkilərini minimuma endirmək və yüksək güc tələblərini dəstəkləmək üçün xPU-lara mümkün qədər yaxın hesablama ana lövhəsinə inteqrasiya edilə bilər. [P4] Tək mərhələli arxitektura 800 VDC-ni birbaşa 12 VDC-yə çevirir, mövcud 50 V-dən 12 V-ə IBC çevirmə mərhələsini aradan qaldırır və 12 V-u birbaşa xPU-nu gücləndirən gərginlik tənzimləyici moduluna (VRM) çatdırır. Bu sadələşdirilmiş enerji arxitekturası sistemin səmərəliliyini və etibarlılığını artırır, eyni zamanda enerji itkilərini, lövhə sahəsini və ümumi enerji təchizatı mürəkkəbliyini azaldır. [P5] Enerji arxitekturası ilkin tərəfdə 16 × NV6034 (650 V, 18 mΩ) GaNFast™ FET -ləri ehtiva edir, bunlar yığılmış yarımkörpü topologiyasında konfiqurasiya edilmişdir və Navitas -ın ən son ikili soyudulmuş DFN 8 × 8 paketini təqdim edir. [P6] Navitas -ın prezidenti və baş icraçı direktoru Chris Allexandre bildirib: “Süni intellektin növbəti dövrü yalnız nə qədər hesablama yarada biləcəyimizlə deyil, həm də onun tam potensialını ortaya çıxarmaq üçün lazım olan gücü təmin etmək qabiliyyətimizlə müəyyən ediləcək. NVIDİA ilə əməkdaşlığımız 800 VDC-dən GPU-ya enerji təchizatını yenidən təsəvvür edərək süni intellekt infrastrukturunun enerji divarını qırır. Bu növbəti nəsil 24 kVt həlli GaNFast™ texnologiyasının enerji çevirmə mərhələlərini necə aradan qaldıra, səmərəliliyi və güc sıxlığını artıra və gücü GPU-ya daha yaxın gətirə biləcəyini nümayiş etdirir.” [P7] Navitas -ın 800 VDC süni intellekt məlumat mərkəzi platformaları portfeli müştərilərə yükləmə nöqtəsi enerji tələbləri üçün optimal aralıq avtobus gərginliyini və VRM arxitekturasını seçmək üçün daha çox çeviklik təmin edir. [P8] 800 V-dən 12 V-ə PDB-nin OCP Qlobal Sammiti 2026 -da NVIDİA Süni İntellekt Fabriki MGX Divarı tərəfdaş ekran sahəsində nümayiş etdirilməsi planlaşdırılır. Daha ətraflı məlumat üçün Navitas nümayəndənizlə əlaqə saxlayın və ya info@navitassemi.com ünvanına e-poçt göndərin.