Cənubi Koreya nın aparıcı çip istehsalçıları Samsung Electronics və SK Hynix şirkətlərinin səhmləri bazar ertəsi günü 3% -dən çox ucuzlaşıb. Bu enişə səbəb, Çin in yaddaş çipi istehsalçısı ChangXin Memory Technologies (CXMT) şirkətinin növbəti nəsil DRAM dizaynında əldə etdiyi irəliləyiş barədə verdiyi məlumat olub. Bu inkişaf yaddaş sıxlığını artırmağa kömək edə və Cənubi Koreya çip istehsalçıları ilə rəqabəti daha da gücləndirə bilər. Investing.com -un məlumatına görə, Samsung səhmləri 3,6% azalaraq 252 500 von a, SK Hynix səhmləri isə 3,4% azalaraq 1 624 000 von a düşüb. CXMT səhmləri də 3,1% azalaraq 49,42 yuan təşkil edib. CXMT , Samsung və SK Hynix tərəfindən də təqib edilən 4F² yaddaş hüceyrəsi strukturunda əsaslı irəliləyiş əldə etdiyini bildirib. Bu texnologiya, çip üzərində daha çox yaddaş hüceyrəsi yerləşdirmək, potensial olaraq saxlama qabiliyyətini artırmaq və eyni zamanda səmərəliliyi yaxşılaşdırmaq üçün nəzərdə tutulub. Hazırda əsas kommersiya dinamik təsadüfi giriş yaddaşı ( DRAM ) 6F² hüceyrə strukturundan istifadə edir. South China Morning Post qəzetinin yazdığına görə, CXMT -nin yanaşması, cərəyan sızmasını azaltmaqla yanaşı, hər yaddaş hüceyrəsinin tutduğu sahəni kiçiltmək üçün şaquli qapı arxitekturasından istifadə edən xüsusi bir Şaquli Ətraf Qapı tranzistoruna əsaslanır. CXMT -nin prezidenti Cao Kanyu , həftə sonu Şanxay da keçirilən sənaye tədbirində şirkətin bu texnologiyaya əsaslanan yeni nəsil DDR5 qeydiyyatlı ikiqat daxili yaddaş modullarını ( RDIMM ) 2026-cı ilin sonuna qədər təqdim etməyi planlaşdırdığını bildirib. Bu modullar, etibarlılıq, dözümlülük və uyğunluq üçün yüksək tələblərə cavab verməli olan müəssisə serverləri üçün nəzərdə tutulub. CXMT yeni məhsul üçün ətraflı texniki xüsusiyyətləri və ya dəqiq buraxılış tarixini açıqlamayıb. Buna görə də, onun son inkişafının kommersiya təsiri, texnologiyanı bazara çıxarmaq və server müştərilərinin tələblərini ödəmək qabiliyyətindən asılı olacaq. Bu elan, CXMT -nin köklü DRAM istehsalçıları ilə texnoloji fərqi azaltmaq səylərinin daha bir sübutudur. SK Hynix öz 4F² inkişaf yol xəritəsini 2025-ci ildə açıqlamışdı, Samsung isə bu dizayndan istifadə edərək 10 nanometrdən aşağı DRAM -ın kütləvi istehsalını 2028-ci ilə qədər hədəflədiyini bildirmişdi. Mənbələr: finance.yahoo.com