[P1] Ən son 2300 V, 8 mΩ tam körpü SiCPAK™ G güc modulu, sənayenin aparıcı RDSON göstəricisini təmin etmək üçün xüsusi GeneSiC™ Trench-Assisted Planar™ texnologiyasından istifadə edir. Bu, bərk cisimli transformatorlar, şəbəkə miqyaslı batareya enerji saxlama sistemləri, günəş çeviriciləri və meqavatlıq doldurma infrastrukturu üçün daha yüksək güc sıxlığına imkan verir. [P2] TORRANCE, Kaliforniya, 21 oktyabr 2026 (GLOBE NEWSWIRE) -- Növbəti nəsil güc yarımkeçiriciləri və güc təchizatı həllərində lider olan, GaN , yüksək gərginlikli və ultra-yüksək gərginlikli SiC , həmçinin IVR texnologiyalarına öncülük edən Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) bu gün qabaqcıl enerji və şəbəkə infrastrukturu üçün ultra-yüksək gərginlikli (UHV) SiC güc modulu ailəsini elan etdi. [P3] Yeni G4H08MT23GB4 2300 V tam körpü modulu ailəsi sənaye standartı olan SiCPAK™ forma faktorundan istifadə edir və sinfində aparıcı RDSON (8 mΩ) göstəricisinə malikdir. [P4] O, bərk cisimli transformatorlarda, şəbəkə miqyaslı batareya enerji saxlama sistemlərində, günəş çeviricilərində və EV meqavatlıq doldurma infrastrukturunda səmərəliliyi və güc sıxlığını artırmaq üçün hazırlanmışdır. Bu qazanclar Navitas -ın dördüncü nəsil GeneSiC™ Trench-Assisted Planar™ (TAP) arxitekturasının tətbiqi ilə mümkün olur, bu da Navitas -ın 2300 V və 3300 V ultra-yüksək gərginlikli SiC portfelini genişləndirir. [P5] Şəbəkəyə bağlı güc arxitekturaları növbəti nəsil AI məlumat mərkəzlərinin əsasını təşkil etdikcə, Navitas -ın UHV SiC modulları şəbəkə gücünü birbaşa AI məlumat mərkəzi rəflərində istifadə olunan yüksək gərginlikli DC şinlərinə çevirən bərk cisimli transformatorlar üçün orta gərginlikli tikinti bloku təmin edir. Bu, yeni modul ailəsini Navitas -ın AI infrastruktur portfelinin mərkəzinə yerləşdirir. Bu portfel AI məlumat mərkəzləri, enerji və şəbəkə infrastrukturu ilə yanaşı, batareya enerji saxlama, günəş enerjisi, EV meqavatlıq doldurma, hidrogen yanacaq hüceyrəsi elektrolizi və DC-DC çevrilməsi, həmçinin sənaye mühərrik sürücüsü və yüksək gərginlikli enerji təchizatı tətbiqlərini əhatə edir. [P6] Yüksək Etibarlılıq, Yüksək Güclü Əməliyyat üçün Qabaqcıl Konstruksiya [P7] Modullar həmçinin tələbkar, yüksək güclü tətbiqlərin ehtiyaclarını daha yaxşı qarşılayan bir neçə konstruksiya təkmilləşdirməsini özündə birləşdirir. Məsələn, onun alüminium nitrid (AlN) aktiv metal lehimli (AMB) substratı üstün istilik yayılmasını təmin edir və 5 kV-dan çox izolyasiya qabiliyyətini dəstəkləyir. Onun epoksi-qətranlı qablaşdırma texnologiyası daxili gərginlik paylanmasını azaldır, nəmliyin və çirkləndiricilərin daxil olmasını məhdudlaşdırır və silikon gelə nisbətən istilik keçiriciliyində 10 dəfə yaxşılaşma təmin edir. [P8] Bundan əlavə, modulun yüksək cərəyanlı, pres-fit pinləri standart pres-fit birləşmələrinə nisbətən pin başına iki dəfə cərəyan daşıma qabiliyyətinə malikdir. İstilik ötürücü materialın (TIM) əvvəlcədən tətbiq olunan isteğe bağlı versiyası da mövcuddur ki, bu da istilik batareyası yığımını sadələşdirir və standartlaşdırır. [P9] Genişləndirilmiş Etibarlılıq Testləri Uzunmüddətli Sistem Ömrünü Təsdiqləyir [P10] Yeni modul ailəsi Navitas -ın AEC-Plus* etibarlılıq meyarına uyğun olaraq sertifikatlaşdırılacaq ki, bu da AEC-Q101 və JEDEC standart tələblərindən kənara çıxan testləri əhatə edir. Bu meyar Navitas -ın enerji və şəbəkə infrastrukturu tətbiqlərində rast gəlinən tələbkar missiya profilləri üçün sistem səviyyəsində ömür tələblərinə diqqətini əks etdirir. [P11] AEC-Plus sertifikatlaşdırması sərt sürətli keçid tətbiqi missiya profillərini təmsil etmək üçün dinamik tərs qərəz (DRB) və dinamik qapı keçid (DGS) testlərini əhatə edir; o, həmçinin statik yüksək temperatur, yüksək gərginlik testlərinin (HTRB, HTGB, HTGB-R) müddətini üç dəfədən çox artırır. Bundan əlavə, o, genişləndirilmiş güc dövrü və temperatur dövrü testlərini tətbiq edir və güc modulları, diskret və məlum yaxşı die (KGD) cihazları üçün HV-H3TRB (HV-THB) sertifikatlaşdırmasını təmin edir. [P12] Navitas -ın SiC Biznes Bölməsinin vitse-prezidenti və baş meneceri Paul Wheeler bildirib: “Dördüncü nəsil GeneSiC Trench-Assisted Planar arxitekturası ultra-yüksək gərginlikli SiC -də mümkün olanın sərhədlərini aşmağa davam edir. Bu yeni 2300 V modul SiCPAK forma faktorundan istifadə edən istənilən cihazın aparıcı RDS(ON) göstəricisini təmin edir, sistem dizaynerlərinə şəbəkə və AI məlumat mərkəzi infrastrukturunu yenidən formalaşdıran bərk cisimli transformatorlar və enerji saxlama sistemləri üçün sübut edilmiş, etibarlılığı test edilmiş tikinti bloku verir.” [P13] G4H08MT23GB4(HC) ailəsinin nümunələri dərhal mövcuddur, əvvəlcədən tətbiq edilmiş TIM və yüksək cərəyan variantları ilə: [P14] İkiqat impuls test (DPT) sistemi, EVB-UHVSIC-GB-E-DPT-1 , də tələb əsasında mövcuddur. Bu, mühəndislərə cihazın keçid performansını qiymətləndirməyə kömək etmək üçün yaradılmışdır. Trench-Assisted Planar Technology haqqında ağ kağız da Navitas veb-saytından yükləmək üçün mövcuddur. [P15] Nümunələr tələb etmək üçün Navitas nümayəndəsi ilə əlaqə saxlayın və ya info@navitassemi.com ünvanına e-poçt göndərin. [P16] * AEC-Plus Navitas -ın standart AEC-Q101 və JEDEC test tələblərindən kənara çıxan daxili etibarlılıq sertifikatlaşdırma meyarıdır. [P17] Navitas haqqında: Navitas Semiconductor (Nasdaq: NVTS) növbəti nəsil güc yarımkeçiriciləri və güc təchizatı həllərində liderdir, AI infrastrukturu, o cümlədən məlumat mərkəzləri və enerji və şəbəkə sistemləri, həmçinin yüksək performanslı hesablama və sənaye elektrikləşdirməsi kimi əlavə bazarlar üçün GaN , yüksək gərginlikli və ultra-yüksək gərginlikli SiC , və IVR texnologiyalarına öncülük edir. Kollektiv olaraq, bu texnologiyalar tam şəbəkədən xPU -ya güc arxitekturasını əhatə edir, AI infrastrukturunun güc divarını qırır və bütün güc zəncirində daha yüksək səmərəlilik, daha böyük güc sıxlığı və artan performans təmin edir. Navitas -ın GaNFast™ FET -ləri sənayenin aparıcı güc sıxlığını, səmərəliliyini və yüksək sürətli performansını təmin edir, GaNFast™ güc IC -ləri isə GaN gücünü, sürücüsünü, nəzarətini, aşkarlanmasını və qorunmasını birləşdirərək daha sürətli, daha səmərəli güc çevrilməsinə imkan verir, bu da daha kiçik və daha etibarlı sistemlərə gətirib çıxarır. GeneSiC™ portfeli xüsusi trench-assisted planar (TAP) SiC texnologiyasını qabaqcıl diskret qablaşdırma və SiCPAK™ güc modulları ilə birləşdirərək sənayenin aparıcı səmərəliliyini, möhkəmliyini və performansını təmin edir. Claros™ IVR texnologiyaları güc təchizatını birbaşa xPU -ya qədər genişləndirir, müştərilərə prosessorun altında və ya millimetrlər daxilində yüksək sıxlıqlı güc çevrilməsi ilə şaquli güc təchizatı (VPD) və daxili güc təchizatı (EPD) arxitekturalarını tətbiq etməyə imkan verir, güc təchizatı itkilərini və impedansı minimuma endirir, eyni zamanda ultra-sürətli keçid reaksiyası, daha yüksək səmərəlilik və maksimum güc sıxlığı təmin edir. Navitas -ın 450-dən çox verilmiş və ya gözlənilən patenti var və 800 VDC və qabaqcıl AI güc infrastrukturu ekosistemində liderdir. Navitas®, GaNFast®, GeneSiC™, Claros™, SiCPAK®, GaNSafe®, DrGaN™ və Navitas loqosu Navitas Semiconductor Limited və ya filiallarının ticarət nişanları və ya qeydə alınmış ticarət nişanlarıdır. Bütün digər markalar, məhsul adları və nişanlar müvafiq sahiblərinin məhsul və ya xidmətlərini müəyyən etmək üçün istifadə olunan ticarət nişanları və ya qeydə alınmış ticarət nişanlarıdır və ya ola bilər.